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Ordering number : ENA1820
BMS4007
N-Channel Power MOSFET
75V, 60A, 7.8m Ω , TO-220ML(LS)
Features
http://onsemi.com
?
?
?
ON-resistance RDS(on)=6m Ω (typ.)
Input capacitance Ciss=9700pF (typ.)
10V drive
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
75
±20
60
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
Avalanche Current *2
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25 ° C
240
2.0
30
150
--55 to +150
299
48
A
W
W
° C
° C
mJ
A
Note : * 1 VDD=48V, L=100 μ H, IAV=48A (Fig.1)
* 2 L ≤ 100 μ H, Single pulse
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7525-002
Product & Package Information
? Package : TO-220ML(LS)
? JEITA, JEDEC : SC-67, SOT-186A
10.0
3.2
4.5
2.8
? Minimum Packing Quantity : 100 pcs./bag or 50pcs./magazine
Marking Electrical Connection
2
MS4007
LOT No.
1 2 3
1.6
1.2
0.75
0.7
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
1
3
2.55
2.55
TO-220ML(LS)
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
82510QA TK IM TC-00002454 No. A1820-1/5
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